三星电子24Gb GDDR7 DRAM研发成功，HBM在DRAM市场比重持续攀升，电子存储芯片行业再掀热潮
核心观点
NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，群联称NAND模组需求持续上升。根据DRAMexchange，上周（1014-1018）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.17%至2.77%，平均涨跌幅为0.20%。其中12个料号价格持平，6个料号价格上涨，4个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，群联表示，2024年前三季整体NAND位元数总出货量的年成长率达到30%，创历史同期新高，表明市场对于高容量的NAND存储模组产品的需求趋势持续上升。
DRAM：颗粒价格小幅下跌，三星电子宣布已完成首款24GbGDDR7DRAM的开发。根据DRAMexchange，上周（1014-1018）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.94%至-0.02%，平均涨跌幅为-1.04%。上周0个料号呈上涨趋势，18个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。三星电子宣布已完成首款24GbGDDR7DRAM的开发，将用于PC和游戏机等现有图形DRAM应用之外的各种领域，以及AI工作站等需要高性能产品的领域和数据中心。
HBM：DRAM中HBM比重逐渐提升。根据科创板日报报道，TrendForce集邦咨询预估，第四季存储器均价涨幅将大幅缩减，其中，一般型DRAM涨幅为0%至5%之间，但由于HBM比重逐渐提高，DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%，较前一季涨幅明显收敛。
市场端：渠道SSD和内存条窄幅下跌，行业市场需求偏淡。上周（1014-1018）eMMC价格环比下跌，UFS价格环比持平。根据CFM闪存市场报道，伴随着双十一购物节与圣诞节相继来临，渠道市场存储需求逐渐回温，成交量上扬有撑，而渠道存储厂商为争抢订单仍在下调产品价格以达成交易，不过整体来看，渠道市场价格下跌空间较为有限，本周渠道SSD和内存条多数价格窄幅下跌。行业市场总体需求偏淡，成交多为小单，大单则鲜少。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
