半导体行业迎来HBM加速迭代与美国出口限制双重挑战，国产自主可控战略地位急速上升
投资要点
根据《韩国经济新闻》12月4日报道，SK海力士将于25H2采用台积电3nm生产HBM4。
SK海力士改采台积电3nm生产HBM4，HBM4E将引入混合键合技术
根据《韩国经济新闻》12月4日报道，SK海力士将于25H2以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽内存HBM4；最快将于2025年3月发布一款采用台积电3nm制程生产的基础裸片的垂直堆叠HBM4原型，主要出货的客户为英伟达。三星同样预计在25H2提供HBM4样品，批量生产计划在26财年。产能方面，根据CFM数据，至2024年底三星、SK海力士和美光合计HBM月产能将达30万片，其中三星HBM增产最为激进；预计2025年全球HBM市场规模将上看300亿美元，HBM将占DRAM晶圆产能约15%至20%。
HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片，而HBM4基础裸片将采用台积电3nm的先进逻辑工艺，以推动性能和能效进一步提升。此外，随着HBM堆叠层数逐渐增加，存储厂商正积极推动在HBM4中引入无助焊剂键合技术，以进一步缩小DRAM堆叠间距；其中，美光动作最为积极，已开始与合作伙伴测试新制程，SK海力士正在评估无助焊剂键合技术，三星电子也正在密切关注相关技术。根据SK海力士HBM封装路线图，其将在计划于2026年量产的HBM4E中采用混合键合技术。混合键合技术可最大限度地缩小DRAM的间隙，且没有微凸块电阻，因此信号传输速度更快，热量管理更为高效。
为应对AI浪潮带来的强劲需求，英伟达已与台积电等供应链合作伙伴提前启动了下一代Rubin平台的研发工作，原定于2026年亮相的Rubin芯片有望提前半年发布，即2025年下半年面世。台积电计划扩大CoWoS先进封装产能，以满足Rubin芯片的预期需求；目标在25Q4将CoWoS月产能提升至8万片。英伟达RubinGPU将配备8个HBM4芯片，其增强版RubinUltraGPU将集成12颗HBM4芯片，预计于2027年推出。
我们认为，AI强劲需求正推动HBM市场高速增长，同时HBM持续升级迭代也不断带来新技术、新工艺的投资机会。
美国新增对HBM的出口管制，HBM国产自主可控重要性日益凸显
2024年12月2日，美国商务部工业和安全局（BIS）修订了《出口管理条例》（EAR），新的出口限制包括限制向中国出口先进HBM，并对24种半导体制造设备和3种软件工具进行出口管制，包括美国公司在外国工厂生产的设备。140家中国实体被增列至出口管制实体清单，中芯国际、武汉新芯、北方华创、拓荆科技、盛美均在该清单上。
根据新的3A090.c，IFR将管制“Memorybandwidthdensity”大于2GB/s/mm2的HBM。当前生产的所有HBM都超过了此阈值，即对于目前几乎所有现行生产的HBM，均不能出口到中国。TrendForce表示，国内存储厂商武汉新芯和长鑫存储正处于HBM制造的早期阶段，其中武汉新芯正在针对HBM建造月产能3000片晶圆的12英寸工厂，长鑫存储则与封测厂通富微电合作开发了HBM样品，并向潜在的客户展示。
我们认为，美国进一步升级对华出口管制凸显HBM全产业链国产自主可控的重要性，产业链相关的国产厂商迎来前所未有的发展良机。
投资建议
建议关注HBM产业链相关标的：1）封测环节：通富微电（先进封装）、长电科技（先进封装）等；2）设备环节：拓荆科技（PECVD+ALD+键合设备）、华海清科（减薄+CMP）、芯源微（临时键合与解键合）、华卓精科（拟上市，键合设备）等；3）材料环节：华海诚科（环氧塑封料）、天承科技（RDL+TSV电镀添加剂）、艾森股份（先进封装电镀）、联瑞新材（硅微粉）等。
风险提示：行业与市场波动风险，国际贸易摩擦风险，新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，产能扩张进度不及预期风险，行业竞争加剧风险。
