三星加速布局400层堆叠NAND，存储芯片市场止跌回暖，渠道迎来转机
核心观点
NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，三星电子计划生产400层堆叠NAND。根据DRAMexchange，上周（1028-1101）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.67%至4.00%，平均涨跌幅为0.01%。其中10个料号价格持平，2个料号价格上涨，10个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，三星电子最新存储芯片发展路线图显示，该司计划最早在2026年生产至少400层单元垂直堆叠的垂直NAND，以最大限度提高容量和性能。
DRAM：颗粒价格小幅下跌，美光宣布推出CrucialDDR5Pro超频(OC)游戏内存。根据DRAMexchange，上周（1028-1101）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.63%至3.25%，平均涨跌幅为-0.79%。上周3个料号呈上涨趋势，15个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，美光宣布推出CrucialDDR5Pro超频(OC)游戏内存，速度达6,400MT/s，可提供更流畅、更快速的游戏体验。DDR5ProOC游戏内存解决方案以美光尖端的DRAM创新为基础，采用美光先进的1β（1-beta）节点技术构建，可提高性能、质量和可靠性。
HBM：SK海力士称2025年HBM需求或超预期。根据CFM闪存市场报道，SK海力士DRAM营销副总裁KimGyu-hyeon在第三季度业绩说明会上表示，“随着AI芯片的需求不断增加，以及客户扩大AI投资的意愿得到证实，2025年HBM的需求增长将超过目前的预期。”
市场端：渠道市场迎来了短暂止跌。上周（1028-1101）eMMC价格环比下跌，UFS价格环比下跌。根据CFM闪存市场报道，10月以来，受益于季节性回温，渠道市场连续数周需求逐渐好转，本周渠道市场迎来了短暂止跌；而行业市场近期部分存储厂商迫于库存压力杀价较为激进，令行业SSD多数价格下跌；嵌入式市场近期出现少量存储厂商欲回笼资金低价抢单，加之客户对后市预期看跌，本周嵌入式产品全面调降。
投资建议
我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；
存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险提示
中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
