通富集团两大项目齐头并进，聚焦存储与先进封装技术，发展势头强劲！
通富微电(002156)
事件点评
在2024年9月20日，通富微电（南通）微电子有限公司的Memory二期项目迎来了首台设备入驻仪式，同时，其子公司通富通达先进封测基地项目也在南通市举行了盛大的开工典礼。
随着通富微电Memory二期项目首台设备的入驻，公司存储器封测基地的建设迈出了重要的一步。该项目新增了8000平米的净化车间，引入了国际前沿的封测技术和设备，投产后将具备每月15万片晶圆的生产能力，有望在存储器封测技术上实现行业领先。截至目前，该项目累计投资约30亿元，累计产值已达到10亿元。此外，公司还新增了1.6亿元的设备投资，主要用于嵌入式FCCSP、uPOP等高端产品的量产，这将有助于满足手机、固态硬盘、服务器等领域对高端存储器国产化的需求。根据市场研究机构CFM的数据，在全球存储市场因原厂调整产能、控制供应和强势提价，以及科技企业在人工智能（AI）领域的投资竞赛推动下，2024年全球存储市场规模预计将增长64%至1,488亿美元，其中NAND Flash市场规模有望增长70.6%至680亿美元，DRAM市场规模有望增长58.1%至808亿美元。智能手机容量增长将使2024年手机应用消耗的NAND Flash产能占比达到37%，而企业级应用需求的增长也将在今年推动NAND Flash产能的消费。预计2024年，服务器、PC、手机将消耗约80%的NAND Flash产能。
通富通达先进封测基地的开工标志着公司对先进封装技术的进一步布局。该项目由通富通达（南通）微电子有限公司负责建设，成立于2023年3月，总投资75亿元，其中设备投资30亿元。项目将建设研发、生产、办公及配套用房，规划了汽车电子、5G、高性能计算等封测产线。项目全部达产后，预计年产集成电路先进封装产品211200万块，年销售额不低于57亿元。项目预计在2026年7月竣工，总建筑面积约6.6万平方米。通富通达先进封测基地将专注于通讯、存储器、算力等应用领域，重点发展多层堆叠、倒装、圆片级、面板级封装等国家重点支持的集成电路封装产品。公司将继续加大研发投入，布局更高品质、更高性能、更先进的封装平台，以满足国内外客户的发展需求，进一步拓展先进封装产业版图，推动公司在先进封装产品领域的业绩增长。2024年上半年，公司在大尺寸多芯片Chiplet封装技术上进行升级，开发了新的工艺，提高了芯片的可靠性，并启动了基于玻璃芯基板和玻璃转接板的FCBGA芯片封装技术的研发，以满足光电通信、消费电子、人工智能等领域对高性能芯片的需求。此外，公司还完成了Easy3B模块的研发，并开始小批量量产，这一技术在国内市场上具有创新性。2024年上半年，公司16层芯片堆叠封装产品大批量出货，合格率行业领先；国内首家WB分腔屏蔽技术和Plasmadicing技术也进入了量产阶段。
投资建议：我们维持对公司业绩的预期。预计2024年至2026年，公司营业收入将分别为252.80亿元、292.31亿元和345.60亿元，增速分别为13.5%、15.6%和18.2%；归母净利润分别为9.57亿元、12.05亿元和16.13亿元，增速分别为465.0%、25.9%和33.8%；PE分别为28.9、23.0和17.2。鉴于通富微电在xPU领域的深厚技术积累，公司持续进行5nm、4nm、3nm新品研发，并凭借FCBGA、Chiplet等先进封装技术优势，深化与AMD等客户的合作关系，预计AI/大模型在手机、PC、汽车等多领域的渗透将推动先进封装需求的提升。维持“买入-A”评级。
风险提示：行业与市场波动风险；国际贸易摩擦风险；人工智能发展不及预期；新技术、新工艺、新产品、新项目无法如期产业化风险；主要原材料供应及价格变动风险；资产折旧预期偏差风险；依赖大客户风险。
